SiC作為第三代半導體材料的代表，其獨特的物理性能（如高抗穿透、高磁導率、耐高溫、抗輻射等）已在航空領域得到應用，其核心應用和技術發展如下：
1.核心區場景
航太動力系統組裝
高效率功率轉換：SiC效率元件（如圖2的MOSFET），電源系統整體效率-物理比高出近5倍，作者減輕了太空船的重量，完全滿足了「征服重量」的需求。
抗輻射：國產400V高品質SiC設備），工程結束時維持並建立真空環境，執行深空探測任務（如在月光過程中看到的人登上了月球）。
散熱簡化：散熱量高，散熱需求低，減少散熱設備，負載能力強。
基於發現的創新
雷電偵測能力：SiC基雷電偵測率是密度偵測（GaN）的5-8倍，耐高溫（200℃（行進中），可進行超長距離偵測（Jong-20 Leiden偵測距離1000公里，覆蓋整個哈希海峽）。
多目標追蹤：波包形成速度提升30%，可連續描畫20個以上目標，增強場情感知能力。
2.技術卓越特性
SiC在航空領域的表現表現如下：
性能指標 SiC設備 技術成果
成功率-體比 高 低 比例接近5倍10
工作溫度：耐高溫200℃，一般低溫150℃，高溫穩定性增強
抗輻射能力強（全天域） 適應深空環境能力弱
能量轉換效率>95% 80–90% 功耗降低，工作時間延長 3.未來挑戰
方向：
1000瓦電力源模型：支援太空船巨大成功率的需求（如在空中站能源系統）。
多領域融合：SiC防雷與安防機號安裝一體化，建構「上下」一體化系統
當前挑戰：
產晶率：目前產晶量為每平方公尺0.5片，長期穩定。
技術限制：探勘距離遠，下降幅度大，減少地球曲率控制，需求突破材料添加法瓶。
結論
航空領域燒結矽的核心是「數量、有效率、高可用性」：
航空航太動力源：深空探測設備裝置、下降發射器；
軍事雷電：強力飛機、超可觀測飛機、重型飛機；
國產化突破：中國第三代半領導體制的巔峰，具備發展與提升能力。
未來，我們將維持材料工程改進的需求，深化系統化，並增加軍事防禦需求。